Yhdysvallat on integroidun piirin tekniikan syntymäpaikka. Historiallisesta näkökulmasta katsottuna transistoreiden, integroitujen piirien, henkilökohtaisten tietokoneiden ja älykkäiden päätelaitteiden kehitys. Ennen 1990-lukua Yhdysvallat oli joko teknologian keksijä tai alan johtaja. Tämä tarkoittaa sitä, että Yhdysvallat voi monopolisoida vasta avatut markkinat ja samalla vahvistaa markkinastandardit ja -säännöt. Siksi Yhdysvalloista on tullut puolijohdemarkkinoiden sääntöjen tekijä ja tuomari. Tämä kaksoisidentiteetti teki siitä tärkeän syyn puolijohdeteollisuuden ehdottomaan kilpailukykyyn 1990-luvulla.
Puolijohdeteollisuus kehittyi tiiviisti Yhdysvaltoja seuraten. 1990-luvun globaaleilla sirunvalmistusmarkkinoilla Alankomaiden Philipsillä, Infineonilla ja STMicroelectronicsilla oli tärkeä rooli.
Taiwan käytti valimomallia 1980-luvulla nousemaan nopeasti sirujen valmistuksen maailmanmarkkinoilla. Alkuvaiheessa Taiwan keräsi paljon tietoa ja tekniikkaa tekemällä amerikkalaisten ja japanilaisten valmistajien peruskäsittelyä. Varsinkin 1980-luvun lopulla, kun Yhdysvallat siirtyi vähitellen Fabless-malliin, toisin sanoen puolijohdeyritykset tekivät vain laitteistopiirien piirisuunnittelun ja ulkoistivat valmistuksen, pakkaamisen ja testauksen pienillä voitoilla ja suurilla investoinneilla. Taiwan tarttui tilaisuuteen jakaa työ työn suunnitteluun, valmistukseen, testaukseen ja pakkaamiseen. Nämä neljä linkkiä on kehitetty vastaavasti, mikä luo hyvän pohjan myöhemmälle teknologiselle parannukselle. Politiikan suhteen Taiwan muotoili 1970-luvulla teknologiateollisuuteen keskittyvän politiikan tukemaan paikallisia yrityksiä, kuten Foxconn, VIA Electronics ja UMC, jotka perustettiin tänä aikana.
Japani alkoi kehittää puolijohdeteollisuutta vuonna 1950, ja sen kultainen aika oli 1970-1986. Vuonna 1986 Japanin osuus maailman kuudesta kymmenestä johtavasta puolijohdeyrityksestä oli kuusi, ja DRAM-sirujen markkinaosuus nousi 80 prosenttiin. Vastauksena tähän Yhdysvaltojen hallitus on ottanut käyttöön erilaisia tukahduttamistoimia, kuten GG; Yhdysvaltain ja Japanin puolijohdekauppasopimus," tukahduttaa Japan&# 39: n kehitys, mikä johtaa Japanin puolijohdeteollisuuden laskuun. Japanin&# 39: n vahvan tekniikan ansiosta se voi silti olla paikalla sirujen valmistuksessa.
Etelä-Koreassa LG: n edeltäjän GG: n kehittämä ja tuottama ensimmäinen tyhjiöputkiradio; Golden Star Society" vuonna 1959 pidetään Korean puolijohdeteollisuuden alkuperänä. Korealla ei kuitenkaan ollut tuolloin itsenäistä tuotantokapasiteettia, ja se pystyi kokoamaan vain tuodut komponentit. Korean puolijohdeteollisuuden kehitys rajoittui 1980-luvun alkuun saakka edelleen työvoimavaltaiseen kokoonpanoon.
1980-luvulla Samsung ja Hyundai investoivat Korean hallituksen tuella paljon suurten integroitujen piirien, erityisesti DRAM-levyjen, tuotantoon, josta tuli tärkeä käännekohta Korean siruteollisuudelle. Lisäksi vuonna 1987 Yhdysvallat tukahdutti Japanin, mikä teki Etelä-Koreasta edunsaajan suurimman edunsaajan ja loi perustan Etelä-Korealle lastujen valmistuksessa.
Kiinan ensimmäinen integroitu piiri kehitettiin menestyksekkäästi vuonna 1965, mutta tuolloin kansallinen valta rajoitti sitä, mutta se ei mennyt kokonaan puolijohdeteollisuuden kehittämiseen. Vasta ulkomailta tuotujen integroitujen televisioiden tuotantolinjojen ensimmäisestä käyttöönotosta vuonna 1982, ja kiinalais-ulkomaiset yhteisyritykset aloittivat tuotannon sen jälkeen. Siitä lähtien useat 1980-luvulta 1990-luvulle suuntautuneet politiikat ovat saaneet sen siirtymään nopeasti valimallien aikakauteen vuodesta 2000 lähtien. Vuonna 2014 kehitysvaihe ja tulevaisuuden tavoitteet on muotoiltu selkeästi. .
Vuosina 2010--2020 Etelä-Korean&# 39: n sirujen valmistusaste ylitti merkittävästi muut alueet. Vuonna 2017 maailman johtavien' puolijohdeyritysten joukossa Etelä-Korean' s Samsung ja SK Hynix tulivat tulojen perusteella kolmen parhaan joukkoon, ja Samsung on ylittänyt Intelin, joka on sijoittunut ensimmäiseksi 25 vuoden ajan , ja luettelon kärjessä. Samana ajanjaksona kansainvälisen sirunvalmistuskapasiteetin siirtymisen vuoksi Aasiaan Kiinan GG: n tuotantokapasiteetti on vähitellen kasvanut, kun taas Yhdysvaltain&# 39: n maailmanlaajuinen tuotantokapasiteetti on pudonnut 42 prosentista vuonna 1980 noin 12: een. % nykyisessä.
Vuosina 2020--2030 odotetaan, että teknologisten tekijöiden osuuden asteittainen kasvu eri teollisuudenalojen kehityksessä yhdistettynä Kiinan ja Yhdysvaltojen väliseen kitkaan tieteen ja tekniikan alalla jatkuu. olla toistuvassa kiitotilassa pitkään.&"ydin GG"; teollisuusympäristö syntyy, toisin sanoen Kiina keskittyy pääteknologiana teknologiseen riippumattomuuteen ja lokalisointiin, kun taas Yhdysvallat jatkaa erilaisten ulkomaanviennin lisäämistä ja laajentaa teknisiä esteitä erilaisten patenttien käytölle puolijohdemaissa.
Siksi, poiketen aiemmasta laajamittaisesta yhtenäisestä tuotantopohjasta, sirujen valmistukseen liittyvät tuotantoketjun alkupään ja loppupään teollisuudenalat Euroopassa, Japanissa ja Etelä-Koreassa muuttavat tai perustavat useita toimipisteitä ympäri maailmaa vastauksena GG: n kaksoisydin" ympäristötrendi. Pieni tuotantopohja.
Jos sinulla on kysyttävää, ota yhteyttä meihin!
